RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3473
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link