RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 101
    周辺 59% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 6.7
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 101
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1438 left arrow 1382

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAMの比較

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
メモリRAM