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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
101
左右 59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
101
读取速度,GB/s
11.6
12.1
写入速度,GB/s
7.3
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
1382
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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