RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 43
    周辺 -72% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 21.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 19.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1314 left arrow 4129

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB RAMの比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
メモリRAM