RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
バグを報告する
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 43
    周辺 -54% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1314 left arrow 2108

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB RAMの比較

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
メモリRAM