RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 43
    周辺 -72% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 18.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1314 left arrow 3731

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
メモリRAM