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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

総合得点
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 43
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1314 left arrow 2875

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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メモリRAM