RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

総合得点
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
バグを報告する
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 43
    周辺 -43% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 10.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1314 left arrow 3026

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAMの比較

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
メモリRAM