RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比較する
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
38
周辺 -58% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
22.7
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
18.6
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
24
読み出し速度、GB/s
10.9
22.7
書き込み速度、GB/秒
6.6
18.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1406
4202
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAMの比較
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link