RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
10.9
22.7
写入速度,GB/s
6.6
18.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
4202
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link