RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
比較する
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
53
周辺 28% 低遅延
考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
53
読み出し速度、GB/s
10.9
16.5
書き込み速度、GB/秒
6.6
9.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1406
2301
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAMの比較
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link