RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
53
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
53
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2301
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link