RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
53
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
53
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2301
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link