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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
38
周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
27
読み出し速度、GB/s
10.9
14.6
書き込み速度、GB/秒
6.6
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2409
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