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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 49
    周辺 -69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 3311

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Panram International Corporation M424051 4GB
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メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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