RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3311
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link