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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
総合得点
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.3
12.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
43
周辺 -48% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
29
読み出し速度、GB/s
12.3
12.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2443
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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