RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2443
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link