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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 86
    周辺 50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 5.7
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 86
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 5.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 1220

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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