RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
86
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
86
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
1220
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link