RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
18.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3555
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link