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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 43
    周辺 -95% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 3007

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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Inmos + 256MB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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