RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3007
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link