RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3007
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link