RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2908
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link