RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2908
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link