RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3037
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link