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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB 考慮すべき理由
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 43
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 3489

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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Super Talent F24EB8GS 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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