RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB 考慮すべき理由
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 43
    周辺 -39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 12800
    周辺 1.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 3360

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAMの比較

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
メモリRAM