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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
総合得点
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
47
周辺 9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.3
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
47
読み出し速度、GB/s
12.3
10.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
7.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1706
2308
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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