RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
47
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2308
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link