RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
72
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
72
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1631
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link