RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
72
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
72
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1631
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link