RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
48
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
3200
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
46
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
4,187.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
2,013.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
6400
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
624
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link