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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

総合得点
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
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Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 48
    周辺 4% 低遅延
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB 考慮すべき理由
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,013.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 3200
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 4,187.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 2,013.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 624

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