Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Note globale
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    46 left arrow 48
    Autour de 4% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,013.2 left arrow 1,519.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 3200
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    46 left arrow 48
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,909.8 left arrow 4,187.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,519.2 left arrow 2,013.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    3200 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    241 left arrow 624
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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