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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比較する
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
総合得点
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
50
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
50
読み出し速度、GB/s
12.3
15.3
書き込み速度、GB/秒
8.1
10.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1706
2512
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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