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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 71
    周辺 39% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 8.0
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 1863

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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
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