RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
71
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
71
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
1863
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link