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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 37
    周辺 -28% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.3 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2065 left arrow 3557

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G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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メモリRAM
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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