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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

総合得点
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

総合得点
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 45
    周辺 18% 低遅延
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB 考慮すべき理由
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 14900
    周辺 1.72 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2065 left arrow 2925

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