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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
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Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB

Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 65
    周辺 29% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 1,728.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 6400
    周辺 2% 高帯域
Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 11.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16HTS51264HY-800A1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 65
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 4,268.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 1,728.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1854 left arrow 728

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