SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

総合得点

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 46

周辺 -109% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.7 11.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.7 8.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

46 22
読み出し速度、GB/s

11.6 17.7
書き込み速度、GB/秒

8.0 12.7
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1854 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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