RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 42
    周辺 -91% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.3 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 8.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 20.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 17.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2152 left arrow 4116

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
メモリRAM