RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
4116
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link