SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

相違点

  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 46
    周辺 -77% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 8.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2088 left arrow 2186
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