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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

総合得点
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 12.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 41
    周辺 -58% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2176 left arrow 2186

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