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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
41
周辺 -86% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
9.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
22
読み出し速度、GB/s
13.7
17.7
書き込み速度、GB/秒
9.3
12.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3075
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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