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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

総合得点
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 74
    周辺 64% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 13.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.7
    テスト平均値
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB 考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 74
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2650 left arrow 1616

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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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AMD R744G2400U1S 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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