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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
比较
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
总分
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
总分
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
74
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
74
读取速度,GB/s
14.8
13.6
写入速度,GB/s
9.0
7.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
1616
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
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