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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
68
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
68
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
1812
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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