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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
48
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
24
读取速度,GB/s
8.9
17.0
写入速度,GB/s
5.9
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2972
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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