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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
48
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2972
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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